1．技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)關(guān)鍵
（1）
微弧氧化技術(shù)的內(nèi)容和工藝流程
鋁及
鋁合金材料的微弧
氧化技術(shù)內(nèi)容主要包括鋁
基材料的前處理；微弧氧化；后處理三部分。其工藝流程如下：鋁基工件→化學(xué)除油→清洗→微弧氧化→清洗→后處理→成品檢驗。
（2）微弧氧化
電解液組成及工藝條件
例1.電解液組成：K2SiO3 5～10g/L，Na2O2 4～6g/L，NaF 0.5～1g/L，CH3COONa 2～3g/L，Na3VO3 1～3g/L；溶液pH為11～13；溫度為20～50℃；
陰極材料為
不銹鋼板；電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將
陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。例2兩步電解法，第一步：將鋁基工件在200g/L的K2O·nSiO2（鉀
水玻璃）水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化5min；第二步：將經(jīng)第一步微弧氧化后的鋁基工件水洗后在70g/L的Na3P2O7水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化15min。陰極材料為：
不銹鋼板；溶液溫度為20～50℃。
（3）影響因素
①
合金材料及表面狀態(tài)的影響：微弧氧化技術(shù)對鋁基工件的合金成分要求不高，對一些普通陽極氧化難以處理的鋁合金材料，如含銅、高硅鑄鋁合金的均可進(jìn)行微弧氧化處理。對工件表面狀態(tài)也要求不高，一般不需進(jìn)行
表面拋光處理。對于粗糙度較高的工件，經(jīng)微弧氧化處理后表面得到修復(fù)變得更均勻平整；而對于粗糙度較低的工件，經(jīng)微弧氧化后，
表面粗糙度有所提高。
②電解質(zhì)溶液及其組分的影響：微弧氧化電解液是獲到合格膜層的技術(shù)關(guān)鍵。不同的電解液成分及氧化工藝參數(shù)，所得膜層的性質(zhì)也不同。微弧氧化電解液多采用含有一定
金屬或非
金屬氧化物堿性鹽溶液（如
硅酸鹽、磷酸鹽、
硼酸鹽等），其在溶液中的存在形式最好是膠體狀態(tài)。溶液的pH范圍一般在9～13之間。根據(jù)膜層性質(zhì)的需要，可添加一些有機(jī)或
無機(jī)鹽類作為輔助
添加劑。在相同的微弧電解電壓下，電解質(zhì)濃度越大，成膜速度就越快，溶液溫度上升越慢，反之，成膜速度較慢，溶液溫度上升較快。
③氧化電壓及電流
密度的影響：微弧氧化電壓和電流密度的控制對獲取合格膜層同樣至關(guān)重要。不同的鋁基材料和不同的氧化電解液，具有不同的微弧放電擊穿電壓（擊穿電壓：工件表面剛剛產(chǎn)生微弧放電的電解電壓），微弧氧化電壓一般控制在大于擊穿電壓幾十至上百伏的條件進(jìn)行。氧化電壓不同，所形成的
陶瓷膜性能、表面狀態(tài)和膜厚不同，根據(jù)對膜層性能的要求和不同的工藝條件，微弧氧化電壓可在200～600V范圍內(nèi)變化。微弧氧化可采用控制電壓法或控制電流法進(jìn)行，控制電壓進(jìn)行微弧氧化時，電壓值一般分段控制，即先在一定的陽極電壓下使鋁基表面形成一定厚度的
絕緣氧化膜層；然后增加電壓至一定值進(jìn)行微弧氧化。當(dāng)微弧氧化電壓剛剛達(dá)到控制值時，通過的氧化電流一般都較大，可達(dá)10A/dm2左右，隨著氧化時間的延長，
陶瓷氧化膜不斷形成與完善，氧化電流逐漸減小，最后小于1A/dm2。氧化電壓的
波形對膜層性能有一定影響，可采用直流、鋸齒或方波等電壓波形。采用控制電流法較控制電壓法工藝操作上更為方便，控制電流法的電流密度一般為2～8A/dm2。控制電流氧化時，氧化電壓開始上升較快，達(dá)到微弧放電時，電壓上升緩慢，隨著膜的形成，氧化電壓又較快上升，最后維持在一較高的電解電壓下。
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